[实用新型]芯片封装电极结构以及使用该电极的芯片封装结构有效
| 申请号： | 201720100238.0 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206742230U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 付猛 | 申请（专利权）人： | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种芯片封装电极结构，包括导电层，该导电层具有第一热膨胀系数；以及膨胀抑制层，至少部分地覆盖该导电层并用于抑制该导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。还提供了一种芯片封装结构，包括芯片；以及一个或多个与该芯片连接的如上面所述的芯片封装电极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 电极 结构 以及 使用 | ||
【主权项】：
一种芯片封装电极结构，包括：导电层，该导电层具有第一热膨胀系数；以及膨胀抑制层，至少部分地覆盖该导电层并用于抑制该导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。
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