[实用新型]半导体处理腔室部件组件有效
| 申请号： | 201720101925.4 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN206758409U | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | V·菲鲁兹多尔;I·优素福;S·E·巴巴扬;R·丁德萨;C·李;K·多恩;A·奥马利 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文所公开的实施方式涉及一种半导体处理腔室部件组件。在一个实施方式中，半导体处理腔室部件组件包括第一半导体处理腔室部件、第二半导体处理部件和密封构件。密封构件具有基本上由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)形成的主体。密封构件在第一半导体处理腔室部件和第二半导体处理腔室部件之间提供密封。主体包括第一表面、第二表面、第一密封表面和第二密封表面。第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域。第二表面与第一表面相对。第一密封表面和第二密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第一密封表面接触第一半导体处理腔室部件。第二密封表面接触第二半导体处理腔室部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 部件 组件 | ||
【主权项】：
一种半导体处理腔室部件组件，所述半导体处理腔室部件组件包括：第一半导体处理腔室部件；第二半导体处理腔室部件；以及密封构件，所述密封构件具有由聚四氟乙烯(PTFE)形成的主体，并且在所述第一半导体处理腔室部件和所述第二半导体处理腔室部件之间提供密封，所述主体包括：第一表面，所述第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；第一密封表面，所述第一密封表面在所述第一表面和所述第二表面之间延伸，所述第一密封表面接触所述第一半导体处理腔室部件；以及第二密封表面，所述第二密封表面在所述第一表面和所述第二表面之间延伸，所述第二密封表面接触所述第二半导体处理腔室部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720101925.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
