[实用新型]内部埋置无源元件的微波组件基板结构有效
申请号: | 201720104629.X | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN206412451U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 何涛 | 申请(专利权)人: | 成都杰联祺业电子有限责任公司 |
主分类号: | H01P3/18 | 分类号: | H01P3/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构,包括低温共烧玻璃陶瓷基层、Ag‑Pd系厚膜导体层、BaTiO3系厚膜电容、RuO2系厚膜电阻和Ag‑Pd系厚膜导体电感,所述低温共烧玻璃陶瓷基层嵌入两所述Ag‑Pd系厚膜导体层之间,所述低温共烧玻璃陶瓷基层至少为三层,同层的所述低温共烧玻璃陶瓷基层之间存在间隔,所述间隔处通过设置Ag‑Pd系厚膜导体层将上下层级的Ag‑Pd系厚膜导体层联通,所述BaTiO3系厚膜电容、RuO2系厚膜电阻和Ag‑Pd系厚膜导体电感分别嵌入所述Ag‑Pd系厚膜导体层内。通过实验发现可有效抑制辐射损耗,在13GHz以下损耗均小于1dB,可以满足微波组件的应用要求。 | ||
搜索关键词: | 内部 无源 元件 微波 组件 板结 | ||
【主权项】:
一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构,其特征在于包括低温共烧玻璃陶瓷基层(1)、Ag‑Pd系厚膜导体层(2)、BaTiO3系厚膜电容(3)、RuO2系厚膜电阻(4)和Ag‑Pd系厚膜导体电感(5),所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)嵌入两所述Ag‑Pd系厚膜导体层(2)之间,所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)至少为三层,同层的所述低温共烧玻璃陶瓷基层(1)之间存在间隔(6),所述间隔(6)处通过设置Ag‑Pd系厚膜导体层(2)将上下层级的Ag‑Pd系厚膜导体层(2)联通,所述BaTiO3系厚膜电容(3)、RuO2系厚膜电阻(4)和Ag‑Pd系厚膜导体电感(5)分别嵌入所述Ag‑Pd系厚膜导体层(2)内。
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