[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201720111303.X | 申请日： | 2017-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN206574713U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | 东部HITEK株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙)31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种背照式图像传感器包括基板，其具有前侧表面和背侧表面；光电二极管，其被设置在所述基板中；绝缘层，其被设置在所述背侧表面上；以及固定电荷层，其被设置在所述绝缘层上。在所述光电二极管和所述基板的所述背侧表面之间由所述固定电荷层形成能够用作背侧钉扎层的电荷累积区。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种背照式图像传感器，其特征在于包括：基板，其具有前侧表面和背侧表面；光电二极管，其被设置在所述基板中靠近所述前侧表面处；绝缘层，其被设置在所述基板的所述背侧表面上；以及固定电荷层，其被设置在所述绝缘层上且被配置成在所述光电二极管和所述背侧表面之间产生电荷累积区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
