[实用新型]探测范围可调的IV族红外光电探测器有效
| 申请号： | 201720117463.5 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN206541839U | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王颖 | 申请（专利权）人： | 陕西学前师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/111 | 分类号： | H01L31/111;H01L31/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种探测范围可调的IV族红外光电探测器。所述红外光电探测器包括Ge衬底、GeSiSn缓冲层、Ge/GeSiSn多量子阱结构、Ge接触层、氧化层、金属电极。本实用新型的红外光电探测器，通过采用Ge/GeSiSn多量子阱结构能够克服目前异质材料晶格失配的问题，高效，解决了近红外光电探测器大暗电流、无法在高温下连续工作问题。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 范围 可调 iv 红外 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种探测范围可调的IV族红外光电探测器，其特征在于，所述红外光电探测器包括从下到上依次层叠的Ge衬底、GeSiSn缓冲层、Ge/GeSiSn多量子阱结构、Ge接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
