[实用新型]一种晶体生长过程高精度温度控制系统有效
申请号: | 201720117600.5 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN206486619U | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 潘丰;沈正阳;邹金鹏 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C30B7/08 | 分类号: | C30B7/08;C30B29/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种晶体生长过程高精度温度控制系统,系统包括生长装置、过滤装置和控制装置。控制装置由PLC、触摸屏、输入接口、输出接口、固态继电器和高精度智能温度控制表组成;PLC通过输入接口与过滤装置中液位开关及测温热电阻相连,通过输出接口与过滤装置中的电加热、电磁阀、循环泵及输送泵相连,与生长装置中的电磁阀、循环泵、直流电机相连;PLC主机通过RS485接口与高精度智能温度控制表相连,智能温度控制表的输入直接与生长装置中测温热电阻相连,智能温度控制表的输出通过固态继电器控制育晶罐夹套内的电加热器从而控制生长液温度,控制精度达到±0.01℃。本实用新型系统提高了大尺寸KDP晶体的生长质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 过程 高精度 温度 控制系统 | ||
【主权项】:
一种晶体生长过程高精度温度控制系统,其特征在于,系统包括生长装置、过滤装置和控制装置;生长装置由带夹套的育晶罐、安装在育晶罐上部的测量育晶罐中生长溶液温度的热电阻、安装在育晶罐内的载晶架、安装在育晶罐顶部的带动载晶架正反旋转的直流电机、安装在育晶罐夹套内的电加热器、安装在育晶罐夹套外侧用于循环夹套水的循环泵、安装在育晶罐夹套上部侧面的出水口、夹套下部侧面的冷却水进口和安装在冷却水进水管道上的控制进夹套冷却水的电磁阀组成;过滤装置由热水浴槽和平衡水浴槽组成;热水浴槽由热水槽、安装在热水槽上方的测量热水槽中水温度的热电阻、测量热水槽中水位的三点式液位传感器、连接来自育晶罐的输送生长溶液的管路、安装在热水槽中加热热水槽中水的电加热器、用于与热水槽中的水进行热交换的输送生长溶液的蛇形管、生长溶液输送泵、生长溶液过滤器、安装在热水槽外侧用于循环热水槽中的水的循环泵、热水槽上部侧面的出水口、热水槽下部侧面的冷却水进口和安装在冷却水进水管道上的控制进热水槽冷却水的电磁阀组成;平衡水浴槽由平衡水槽、安装在平衡水槽上方的测量平衡水槽中水温度的热电阻、测量平衡水槽中水位的三点式液位传感器、安装在平衡水槽中的加热平衡水槽中水的电加热器、用于与平衡水槽中的水进行热交换的输送生长溶液的蛇形管、生长溶液过滤器、连接返回到育晶罐的输送生长溶液的管路、安装在平衡水槽外侧用于循环平衡水槽中的水的循环泵、平衡水槽上部侧面的出水口、平衡水槽下部侧面的冷却水进口和安装在冷却水进水管道上的控制进平衡水槽冷却水的电磁阀组成;控制装置由PLC、触摸屏、输入接口、输出接口、固态继电器和高精度智能温度控制表组成,PLC由台达的DVP20ES200T型主机和DVP04PT‑E2型热电阻输入模块组成,PLC通过主机串口与台达DOP‑W127B型液晶触摸屏相连;PLC通过输入接口与过滤装置中的二个三点式液位开关及二个测温热电阻相连,PLC通过输出接口与过滤装置中的二个电加热器、二个电磁阀、二个循环泵及一个输送泵相连,PLC通过输出接口与生长装置中的一个电磁阀、一个循环泵、一个直流电机相连;PLC主机通过RS485接口与高精度智能温度控制表相连,高精度智能温度控制表为宇电公司的AIJ‑5.0A‑N‑GA‑N‑N‑SA型表;智能温度控制表的输入直接与生长装置中测温热电阻相连,获得生长液温度,智能温度控制表的输出通过固态继电器控制育晶罐夹套内的电加热器从而控制生长液温度。
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