[实用新型]用于长波光通信的光电探测器有效
| 申请号： | 201720118749.5 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN206595266U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王颖 | 申请（专利权）人： | 陕西学前师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于长波光通信的光电探测器，其中，所述光电探测器包括衬底层；依次层叠于所述衬底层的Ge缓冲层、GeSn缓冲层、GeSn/Ge多量子阱有源层和GeSn接触层；位于所述GeSn接触层和所述GeSn缓冲层上的氧化层；位于所述GeSn接触层和所述GeSn缓冲层上的金属电极；本实用新型提供的用于长波光通信的光电探测器测器克服了暗电流大，低于1800nm连续波段探测问题，高效，且能够在GeSn量子阱中引入不同的应变，调节量子阱的带隙结构以扩展光电探测器的吸收波长范围和吸收系数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 长波 光通信 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种用于长波光通信的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：衬底层；依次层叠于所述衬底层的Ge缓冲层、GeSn缓冲层、GeSn/Ge多量子阱有源层和GeSn接触层；位于所述GeSn接触层和所述GeSn缓冲层上的氧化层；位于所述GeSn接触层和所述GeSn缓冲层上的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
