[实用新型]高功率、高效率的S波段GaN管芯功率芯片

摘要

本实用新型公开了一种高功率、高效率的S波段GaN管芯功率芯片，它包括四个三包，第一三包与第二三包并联构成第一包体，第三三包与第四三包并联构成第二包体，第一包体与第二包体并联，所述的三包包括三颗管芯，所述的三颗管芯之间并联。本实用新型基于GaN管芯，提出了一种芯片级功率合成的多包设计结构，应用本申请设计的功率放大器芯片能够满足高功率应用场景，解决了功率器件输出功率低、效率低的问题，能够进一步提高功率芯片的输出功率，在提升输出功率的同时，解决了输出功率跟芯片尺寸的矛盾。

主权项

一种高功率、高效率的S波段GaN管芯功率芯片，其特征在于：它包括四个三包，第一三包与第二三包并联构成第一包体，第三三包与第四三包并联构成第二包体，第一包体与第二包体并联，所述的三包包括三颗管芯，所述的三颗管芯之间并联。