[实用新型]基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构有效

专利信息
申请号: 201720126110.1 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN206489286U 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 张志东 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;B82Y40/00
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 代理人: 朱源
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 实用新型属于光学领域和微纳系统领域,具体为基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构,包括底层电介质薄膜层、在底层电介质薄膜层上沉积的带有孔洞阵列结构的金属薄膜层、在孔洞中填充的电介质、金属薄膜层上沉积的电介质层、在电介质层顶面上制备的顶层圆盘状金属阵列结构和底层电介质薄膜层底面上制备的底层圆盘状金属阵列结构,底层圆盘状金属阵列结构、底层电介质薄膜层、带有孔洞阵列结构的金属薄膜层、顶层电介质层和顶层圆盘状金属阵列结构构成金属复合微纳结构。该金属复合微纳结构借助孔洞阵列结构光学异常透射效应和圆盘状微纳天线结构局域表面等离激元共振辐射增强效应级联耦合来实现透射的增强。
搜索关键词: 基于 纳米 天线 表面 离激元 增强 透射 金属 复合 结构
【主权项】:
基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构,其特征在于包括底层电介质薄膜层(5)、在底层电介质薄膜层(5)上沉积的带有孔洞阵列结构的金属薄膜层(3)、在孔洞中填充的电介质(4)、金属薄膜层(3)上沉积的电介质层(2)、在电介质层(2)顶面上制备的顶层圆盘状金属阵列结构(1)和底层电介质薄膜层(5)底面上制备的底层圆盘状金属阵列结构(6),底层圆盘状金属阵列结构(6)、底层电介质薄膜层(5)、带有孔洞阵列结构的金属薄膜层(3)、电介质层(2)和顶层圆盘状金属阵列结构(1)构成金属复合微纳结构。
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