[实用新型]金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构有效
申请号: | 201720127328.9 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN206639806U | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 张志东 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0232;G01J5/10 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030051 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于光学领域和微纳系统领域,具体为一种金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构。金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构,包括Si基底,Si基底上生长有一层二氧化硅,二氧化硅层上设有一层石墨烯薄膜,石墨烯薄膜上两侧分别都设有方块状金属Au块,两方块状金属Au块之间的石墨烯薄膜设有一层TiO,TiO层上均布有球状金属Ag,球状金属Ag上设有一层石墨烯薄膜覆盖层,球状金属Ag之间具有纳米级间隙,解决了石墨烯制作的光电探测器由于光生载流子较少使得灵敏度受限、传输速度较慢等问题。 | ||
搜索关键词: | 金属 微纳超 结构 表面 离激元超快 探测 | ||
【主权项】:
金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构,其特征在于包括Si基底(1),Si基底(1)上生长有一层二氧化硅(2),二氧化硅(2)层上设有一层石墨烯薄膜(3),石墨烯薄膜(3)上两侧分别都设有方块状金属Au块(5),两方块状金属Au块(5)之间的石墨烯薄膜(3)设有一层TiO(4),TiO(4)层上均布有球状金属Ag(6),球状金属Ag(6)上设有一层石墨烯薄膜覆盖层(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学,未经中北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720127328.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的