[实用新型]充电器防电池反接电流回灌保护电路有效

专利信息
申请号: 201720136419.9 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN206559081U 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 章磊;潘卫星 申请(专利权)人: 帝发技术(无锡)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18;H02H11/00
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 代理人: 曹祖良,屠志力
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种充电器防电池反接电流回灌保护电路,包括NMOS管Q1、Q2、PNP三极管Q3、NPN三极管Q4、电容C1、稳压二极管D1和D3、二极管D2、光电耦合器U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9;电容C1的一端接充电器正输出端和NMOS管Q1的漏极,另一端接充电器负输出端、充电器地GND_S以及电池负接线端;NMOS管Q1的源极接NMOS管Q2的源极,NMOS管Q1的栅极接NMOS管Q2的栅极;NMOS管Q2的漏极接电池正接线端,以及稳压二极管D3的阴极;电阻R7的另一端用于输出反接报错信号;电阻R8的另一端用于输入充电开始信号;本实用新型可自动判断电池是否反接,避免人为操作错误导致的电池和充电器损坏;反应快,无声音。
搜索关键词: 充电器 电池 反接 电流 保护 电路
【主权项】:
一种充电器防电池反接电流回灌保护电路,其特征在于,包括NMOS管Q1、Q2、PNP三极管Q3、NPN三极管Q4、电容C1、稳压二极管D1和D3、二极管D2、光电耦合器U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9;电容C1的一端接充电器正输出端和NMOS管Q1的漏极,另一端接充电器负输出端、充电器地GND_S以及电池负接线端;NMOS管Q1的源极接NMOS管Q2的源极,NMOS管Q1的栅极接NMOS管Q2的栅极;NMOS管Q2的漏极接电池正接线端,以及稳压二极管D3的阴极;稳压二极管D3的阳极接电阻R6的一端,电阻R6的另一端接三极管Q4的基极、二极管D2的阴极、电阻R8、R9的一端;电阻R8的另一端用于输入充电开始信号;电阻R9的另一端、二极管D2的阳极、三极管Q4的发射极接充电器地GND_S;三极管Q4的集电极接电阻R5的一端和光电耦合器U1的输入端阴极,电阻R5的另一端接光电耦合器U1的输入端阳极,光电耦合器U1的输入端阳极通过电阻R4接光耦供电电压;光电耦合器U1的输出端发射极接MOS管地MOS_GND,输出端集电极接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接三极管Q3的基极和电阻R3的一端,电阻R3的另一端接三极管Q3的发射极和MOS管供电电压;三极管Q3的集电极接NMOS管Q1和Q2的栅极,以及稳压二极管D1的阴极和电阻R1的一端;稳压二极管D1的阳极接NMOS管Q1和Q2的源极,且连接MOS管地MOS_GND;电阻R1的另一端接MOS管地MOS_GND。
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