[实用新型]半导体散热结构有效
| 申请号： | 201720139245.1 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN206697748U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 林倖妍;罗丕丞;黄柏昭;刘博玮;邓亚欣;粟华新 | 申请（专利权）人： | 华星光通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司11239 | 代理人： | 孙刚 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体散热结构，包含有散热基板、金属焊料层以及边射型雷射二极体。该散热基板的一侧包含有一平面，用以供该边射型雷射二极体设置。边射型雷射二极体设置于该金属焊料层上并透过降低该边射型雷射二极体的主动区以令该边射型雷射二极体的主动区靠近该散热基板的一侧。边射型雷射二极体的出光方向与该散热基板的平面平行，并于该散热基板及/或该金属焊料层上具有一沟槽。边射型雷射二极体的梁脊部设置于该散热基板上沟槽的开口位置，藉以避免该散热基板及该金属焊料层接触该边射型雷射二极体的梁脊部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 散热 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体散热结构，其特征在于包含：一散热基板，该散热基板的一侧设有一平面；以及一边射型雷射二极体，包含一主动区、一设置于该散热基板上沟槽两侧以固定该边射型雷射二极体的金属焊料层以及一设置于该主动区发光区域一侧的梁脊部，该边射型雷射二极体设置于该散热基板上，并透过降低该边射型雷射二极体的主动区令该主动区与该边射型雷射二极体及金属焊料层接触面之间的距离为2μm至14μm，该边射型雷射二极体的出光方向与该散热基板的平面平行，并于该散热基板上具有一沟槽，该边射型雷射二极体的梁脊部对准设置于该散热基板上沟槽的开口位置以避免该散热基板接触该边射型雷射二极体的梁脊部。
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