[实用新型]一种低反射率且就具有防护性的单晶硅片有效
申请号: | 201720142142.0 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206441741U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 周士杰;陈圣铁 | 申请(专利权)人: | 温州隆润科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及单晶硅片技术领域,尤其是一种低反射率且就具有防护性的单晶硅片,包括单晶硅层,所述单晶硅层的底面设有导电杂质扩散层,所述导电杂质扩散层的底面设有二氧化碳钝化层,所述单晶硅层的上表面设有开设有镓晶体硅层,所述镓晶体硅层的上表面设有多个单晶硅凸块,所述单晶硅凸块的上表面还铺设有吸光膜,所述吸光膜的上表面设有透明防护罩,所述单晶硅层的四周边沿设有橡胶层,且橡胶层的顶端与单晶硅凸块处于同一水平直线,橡胶层的底端与二氧化碳钝化层处于同一水平直线。本实用新型结构简单、使用方便,不仅可以减少单晶硅片自身的反光效率,还能使得自身具有一定的防护性,从而提高单晶硅片的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 反射率 具有 防护 单晶硅 | ||
【主权项】:
一种低反射率且就具有防护性的单晶硅片,包括单晶硅层(2),所述单晶硅层(2)的底面设有导电杂质扩散层(3),所述导电杂质扩散层(3)的底面设有二氧化碳钝化层(1),其特征在于,所述单晶硅层(2)的上表面设有开设有镓晶体硅层(9),所述镓晶体硅层(9)的上表面设有多个单晶硅凸块(6),所述单晶硅凸块(6)的上表面还铺设有吸光膜(5),所述吸光膜(5)的上表面设有透明防护罩(4),所述单晶硅层(2)的四周边沿设有橡胶层(8),且橡胶层(8)的顶端与单晶硅凸块(6)处于同一水平直线,橡胶层(8)的底端与二氧化碳钝化层(1)处于同一水平直线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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