[实用新型]一种可控硅调光全范围无频闪电路有效

专利信息
申请号: 201720143864.8 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN206472349U 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 徐水盛 申请(专利权)人: 东莞莹辉灯饰有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司11403 代理人: 杨育增
地址: 523900 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种可控硅调光全范围无频闪电路,包括调光电路及连接于调光电路上的消除频闪电路,所述消除频闪电路包括一MOS管,所述MOS管连接于调光电路输出端的正极或负极上;本实用新型利用调光电路与频闪消除电路组合,调光电路上设有可控硅调光芯片,当MOS管工作在恒流区时,其栅源极的电压不变,则流过漏源极的电流恒定不变,从而实现高功率因数的全功率段无频闪现象,保证LED工作稳定,防止因LED频闪对使用者造成伤害。
搜索关键词: 一种 可控硅 调光 范围 闪电
【主权项】:
一种可控硅调光全范围无频闪电路,其特征在于,包括调光电路及连接于调光电路上的消除频闪电路,所述消除频闪电路包括一MOS管,所述MOS管的漏极连接于调光电路输出端的正极或负极上;MOS管的栅极连接于调光电路输出端的正极时,所述消除频闪电路包括电阻RN1、电容CN1、二极管DN1、二极管DN2、电阻RG1、MOS管QN1,所述电阻RN1与电容CN1串联,并且并联在调光电路输出端的正、负极上;所述二极管DN1与二极管DN2串联后并联在RN1上,二极管DN1的K极连接在二极管DN2的A极上,二极管DN1的A极与调光电路输出端的正极连接,所述MOS管连接在调光电路输出端的正极上,MOS管的栅极通过电阻RG1连接在电容CN1和电阻RN1之间的连接电路上,MOS管的源极作为LED供电的正极输出端;MOS管连接于调光电路输出端的负极时,消除频闪电路包括电阻RN1、电容CN1、二极管DN1、二极管DN2、电阻RN2、MOS管QN1,所述MOS管的源极通过电阻RN2连接于调光电路的输出端的负极上,所述MOS管的栅极通过电容CN1连接在调光电路的输出端的负极上,电阻RN1的两端分别连接在MOS管的栅极及漏极上,所述二极管DN1与二极管DN2串联后并联在电阻RN1上,二极管DN1和二极管DN2呈反向设置,二极管DN1的K极与二极管DN2的K极连接,MOS管的漏极作为LED的负极输出端。
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