[实用新型]SOT封装结构的半导体器件

摘要

本实用新型公开一种SOT封装结构的半导体器件，其环氧树脂包覆体包覆于芯片、金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚上，所述金属焊盘、左侧引脚和右侧引脚各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体的底部；若干根第一金线一端位于左圆凹槽内并通过焊膏与管脚区电连接，此第一金线另一端位于左侧引脚的第一圆凹槽内并通过焊膏电连接；左侧引脚和右侧引脚各自的内侧端面分别开有供填充环氧树脂的左梯形凹槽和右梯形凹槽。本实用新型有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，以便芯片在工作时快速传导热量，散热效果好，提高器件的承载电流、集成芯片的稳定性和可靠性。

主权项

一种SOT封装结构的半导体器件，其特征在于：包括芯片（1）、金属焊盘（2）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）和环氧树脂包覆体（5），所述芯片（1）通过绝缘胶层（6）固定于金属焊盘（2）上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚（3）并排间隔地设置于芯片（1）的左侧，若干个所述右侧引脚（4）并排间隔地设置于芯片（1）的右侧，所述金属焊盘（2）下部边缘处开有第一缺口槽（7），所述环氧树脂包覆体（5）包覆于芯片（1）、金属焊盘（2）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）上，所述金属焊盘（2）、左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体（5）的底部；所述芯片（1）上表面的左侧区和右侧区分别开有若干个左圆凹槽（10）、若干个右圆凹槽（11），所述左圆凹槽（10）和右圆凹槽（11）各自底部均具有管脚区（12），所述左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的内侧端上表面分别开有第一圆凹槽（13）和第二圆凹槽（14），若干根第一金线（15）一端位于左圆凹槽（10）内并通过焊膏与管脚区（12）电连接，此第一金线（15）另一端位于左侧引脚（3）的第一圆凹槽（13）内并通过焊膏电连接，若干根第二金线（16）一端位于右圆凹槽（11）内并通过焊膏与管脚区（12）电连接，此第二金线（16）另一端位于右侧引脚（4）的第二圆凹槽（14）内并通过焊膏电连接；所述左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的内侧端面分别开有供填充环氧树脂的左梯形凹槽（8）和右梯形凹槽（9）；所述左圆凹槽（10）和右圆凹槽（11）均为半圆形凹槽；所述金属镀层（17）与左侧引脚（3）或者右侧引脚（4）的厚度比为1：10。