[实用新型]一种双谐振腔结构的石墨烯光电探测器有效
申请号: | 201720171791.3 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN206595273U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 杜鸣笛;何淑珍 | 申请(专利权)人: | 湖南工学院 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0232;H01L31/028 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所(普通合伙)43205 | 代理人: | 龙腾,黄丽 |
地址: | 421002 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,涉及集成光学器件技术领域,其包括顶部谐振腔以及底部谐振腔,顶部谐振腔位于底部谐振腔的上部,顶部谐振腔包括由上往下依次设置的第一分布布拉格反射镜、二氧化硅腔、第二分布布拉格反射镜,底部谐振腔包括由上往下依次设置的顶部谐振腔、空气腔、第三分布布拉格反射镜以及衬底,空气腔内设有一石墨烯吸收层,顶部谐振腔可对光信号进行滤波并为底部谐振腔提供顶部反射镜功能,入射光通过第一分布布拉格反射镜进入顶部谐振腔,经过滤波以及数次反射后进入底部谐振腔内并被吸收层吸收。本实用新型具备高量子效率、高响应速度以及超窄响应线宽的特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 谐振腔 结构 石墨 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,其特征在于:包括顶部谐振腔(1a)以及底部谐振腔(1b),所述顶部谐振腔(1a)位于底部谐振腔(1b)的上部,所述顶部谐振腔(1a)包括由上往下依次设置的第一分布布拉格反射镜(2)、二氧化硅腔(3)、第二分布布拉格反射镜(4),所述底部谐振腔(1b)包括由上往下依次设置的顶部谐振腔(1a)、空气腔(5)、第三分布布拉格反射镜(6)以及衬底(7),所述空气腔(5)内设有一吸收层(8),所述吸收层(8)为单层石墨烯,所述顶部谐振腔(1a)可对光信号进行滤波并为底部谐振腔(1b)提供顶部反射镜功能,入射光通过所述第一分布布拉格反射镜(2)进入顶部谐振腔(1a),经过滤波以及数次反射后进入所述底部谐振腔(1b)内并被吸收层(8)吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的