[实用新型]大功率MOSFET的扇出形封装结构有效
| 申请号： | 201720175371.2 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN206497883U | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘义芳 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率MOSFET的扇出形封装结构，包括由下到上依次设置的陶瓷双面覆铜基板、镀金层、大功率MOSFET晶圆经划片后形成的单颗MOSFET芯片、锡球，陶瓷双面覆铜基板上设置有用于内置单颗MOSFET芯片的下嵌槽，单颗MOSFET芯片上设置有栅极、源极和漏极，锡球包括第一锡球、第二锡球、第三锡球、第四锡球，第一锡球位于下嵌槽外两侧并且与镀金层接触用于引出成品的漏极，第二锡球位于栅极上用于引出成品的栅极，第三锡球、第四锡球位于源极上用于引出成品的源极。本实用新型能够实现MOSFET更低内阻、更小的杂散参数、更好的散热性能及更大的功率密度比，同时更适合大规模批量生产并降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 mosfet 扇出形 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率MOSFET的扇出形封装结构，其特征在于，包括由下到上依次设置的陶瓷双面覆铜基板、镀金层、大功率MOSFET晶圆经划片后形成的单颗MOSFET芯片、锡球，所述陶瓷双面覆铜基板上设置有用于内置单颗MOSFET芯片的下嵌槽，所述单颗MOSFET芯片上设置有栅极、源极和漏极，所述锡球包括第一锡球、第二锡球、第三锡球、第四锡球，所述第一锡球位于下嵌槽外两侧并且与镀金层接触用于引出成品的漏极，所述第二锡球位于栅极上用于引出成品的栅极，所述第三锡球、第四锡球位于源极上用于引出成品的源极。
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