[实用新型]一种多晶硅的清洁装置有效
申请号: | 201720188395.1 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN206471311U | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 刘爱军;陈永庆 | 申请(专利权)人: | 江苏金晖光伏有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/12;B08B3/10;B08B3/14 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人: | 鞠明 |
地址: | 225600 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多晶硅的清洁装置。一种多晶硅的清洁装置,包括水箱与清洗箱,水箱设置有通水管,通水管设置有第一阀门,通水管通向清洗箱,清洗箱由高到低依次设置有产品放置箱、待清洗箱、超声波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱,超声波清洗箱设置有第一清洁管,第一清洁管设置有第二阀门,第一漂洗箱设置有第二清洁管,第二清洁管设置有第三阀门,第二漂洗箱设置有第三清洁管,第三清洁管设置有第四阀门,第三漂洗箱设置有第四清洁管,第四清洁管设置有第五阀门,第三漂洗箱连接有第一回流管,收集池设有第二回流管,水箱内设有加热层。本实用新型降低脏片的出现概率,提高了硅片清洗效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 清洁 装置 | ||
【主权项】:
一种多晶硅的清洁装置,包括水箱与清洗箱,其特征在于:所述水箱设置有通水管,所述通水管设置有第一阀门,所述通水管通向清洗箱,所述清洗箱由高到低依次设置有产品放置箱、待清洗箱、超声波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱,所述超声波清洗箱设置有第一清洁管,第一清洁管连接通水管,所述第一清洁管设置有第二阀门,所述第一漂洗箱设置有第二清洁管,第二清洁管连接通水管,所述第二清洁管设置有第三阀门,所述第二漂洗箱设置有第三清洁管,第三清洁管连接通水管,所述第三清洁管设置有第四阀门,所述第三漂洗箱设置有第四清洁管,第四清洁管连接通水管,所述第四清洁管设置有第五阀门,所述第三漂洗箱连接有第一回流管,所述第一回流管通向收集池,所述收集池设有第二回流管,第二回流管通向水箱,水箱内设有加热层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造