[实用新型]具有混合波导的硅光子装置有效
| 申请号： | 201720194688.0 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN206710638U | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 丁亮;拉达克里希南·L·纳加拉扬 | 申请（专利权）人： | 颖飞公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 张英,宫传芝 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了具有混合波导的硅光子装置，具体地为一种具有带有精确控制的厚度的结合中间层的混合波导的硅光子装置。该装置包括形成在SOI基板中的多个第一Si波导和覆盖该多个第一Si波导的第一SiO2层以及形成在第一SiO2层上的多个第二Si3N4波导。至少一个Si3N4波导设置为在垂直方向上与该多个第一Si波导中的至少一个部分重叠，由具有控制为不大于90nm的厚度的第一SiO2层分隔。该装置包括覆盖多个第二Si3N4波导的第二SiO2层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 波导 光子 装置 | ||
【主权项】：
一种具有混合波导的硅光子装置，其特征在于，包括：绝缘体上硅SOI基板；形成在所述SOI基板中的多个第一硅平面波导；第一二氧化硅层，控制为横贯整个SOI基板厚度不大于90nm，覆盖所述多个第一硅平面波导；形成在所述第一二氧化硅层上的多个第二氮化硅平面波导，所述多个第二氮化硅平面波导中的至少一个设置为在垂直方向上与所述多个第一硅平面波导中的至少一个至少部分重叠；覆盖所有所述多个第二氮化硅平面波导的第二二氧化硅层。
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