[实用新型]一种采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池有效
申请号: | 201720205577.5 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN206505927U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池,包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,背电极主要由呈垂直相交的背极主栅和背铝栅线相连而成,在背面氮化硅膜上开有数条贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成激光开槽区,P型硅露于开槽中,背铝栅线位于开槽中的部分与P型硅相连,在背面氮化硅膜上设置激光标记,激光标记和激光开槽区的相对位置预先设定,通过定位激光标记并根据激光开槽区与激光标记之间的距离进行印刷背铝栅线的对位。本实用新型能够确保每片硅片背面的铝浆准确覆盖在激光开槽区上,可有效降低双面PERC太阳能电池的不良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 激光 标记 对位 perc 双面 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种采用激光标记对位的P型PERC双面太阳能电池,包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,所述背电极主要由呈垂直相交的背极主栅和背铝栅线相连而成,在所述背面氮化硅膜上开有数条贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽构成激光开槽区,所述P型硅露于所述开槽中,所述背铝栅线位于开槽中的部分与P型硅相连,其特征在于:在背面氮化硅膜上设置激光标记,所述激光标记和激光开槽区的相对位置预先设定,通过定位激光标记并根据激光开槽区与激光标记之间的距离进行印刷背铝栅线的对位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的