[实用新型]一种集成电流传感器的SiC晶体管器件有效
| 申请号： | 201720210625.X | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN206574710U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;张敬伟;李明山;袁俊;卢小东;徐妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成电流传感器的SiC晶体管器件，所述SiC晶体管器件的源极一侧、有源区内按设定比例均匀选取若干个原胞作为源传感器，其他的原胞作为器件源极的原胞，即主原胞；同时采用源极的多层布线方式使源极压块金属与所述源传感器的压块金属处于一个平面上；所述源传感器的栅极与SiC晶体管器件的栅极都是相连的，共用栅极压块金属，并且共用漏极。本申请不仅可以实时地监控芯片的电流，而且能够全面地反应整个芯片内的电流状况；可以得到实时的、非常准确的数据；以利于系统进行及时的控制保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电流传感器 sic 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电流传感器的SiC晶体管器件，其特征在于，所述SiC晶体管器件的源极一侧、有源区内按设定比例均匀选取若干个原胞作为源传感器，其他的原胞作为器件源极的原胞，即主原胞；同时采用源极的多层布线方式使源极压块金属与所述源传感器的压块金属处于一个平面上；所述源传感器的栅极与SiC晶体管器件的栅极都是相连的，共用栅极压块金属，并且共用漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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