[实用新型]一种制备碳化硅单晶的装置有效

专利信息
申请号: 201720222503.2 申请日: 2017-03-09
公开(公告)号: CN206570431U 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 张岩;赵然;马鹏翔;赵子强;孙建;李晋;陈菲菲;谷元中;梁浩;邓晓妍;王浩然 申请(专利权)人: 中科钢研节能科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 严政,刘依云
地址: 100081 北京市海淀区大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及碳化硅领域,公开了一种制备碳化硅单晶的装置,其中,该装置包括加热装置、长晶炉(1)和坩埚(2),所述加热装置包括双频电源(3)和加热部件(4),所述双频电源(3)设置在所述长晶炉(1)的外部,所述加热部件(4)和所述坩埚(2)位于所述长晶炉(1)的内部,所述双频电源(3)与所述加热部件(4)电连接,所述加热部件(4)设置在所述坩埚(2)的外周。该制备碳化硅单晶的装置能够使在升温和恒温的过程中温度保持稳定,从而提高碳化硅单晶的质量。
搜索关键词: 一种 制备 碳化硅 装置
【主权项】:
一种制备碳化硅单晶的装置,其特征在于,该装置包括加热装置、长晶炉(1)和坩埚(2),所述加热装置包括双频电源(3)和加热部件(4),所述双频电源(3)设置在所述长晶炉(1)的外部,所述加热部件(4)和所述坩埚(2)位于所述长晶炉(1)的内部,所述双频电源(3)与所述加热部件(4)电连接,所述加热部件(4)设置在所述坩埚(2)的外周。
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