[实用新型]单晶永磁场有效
| 申请号： | 201720224284.1 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN206570432U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张承臣;刘振凯;李恒盛 | 申请（专利权）人： | 沈阳隆基电磁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 抚顺宏达专利代理有限责任公司21102 | 代理人： | 许翔 |
| 地址： | 113122 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶永磁场，该单晶永磁场由支架及固定在其上的导磁板、两轭板和两磁系构成，两磁系分别固定在两轭板上，两轭板通过导磁板连接，两磁系相对布置在单晶炉两侧，磁系中心与单晶炉主室结晶位置齐平，磁系、轭板及导磁板构成C形半围形状。本实用新型将永磁场运用到半导体硅的生产领域，使多晶硅在熔化后再结晶为单晶过程中在外加永磁场的情况下提高半导体硅工艺参数，改变3价和5价元素在半导体硅中的分布。与电磁场相比，本实用新型无能源消耗，节能环保，没有噪音污染，工作中无故障，免维护。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁 | ||
【主权项】：
一种单晶永磁场，由支架（1）及固定在其上的导磁板（2）、两轭板（3）和两磁系（4）构成，其特征是：两磁系（4）分别固定在两轭板（3）上，两轭板（3）通过导磁板（2）连接，两磁系（4）相对布置在单晶炉（5）两侧，磁系（4）中心与单晶炉（5）主室结晶位置齐平，磁系（4）、轭板（3）及导磁板（2）构成C形半围形状。
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