[实用新型]一种五栅多晶电池片有效
申请号: | 201720224455.0 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN206516637U | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 许浩 | 申请(专利权)人: | 嘉兴奥力弗光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/0248 |
代理公司: | 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙)33265 | 代理人: | 蔡鼎 |
地址: | 314306 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种五栅多晶电池片,属于太阳能电池技术领域。本五栅多晶电池片,包括基板,所述的基板上设有若干主栅线和若干副栅线,主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通,其特征在于,所述的主栅线上连接有焊带,每两根副栅线之间设有防断栅,主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接,且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度;所述的基板包括本体,本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区,P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜,N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜,所述的本体表面设有导电膜,所述导电膜外侧设有保护膜。本实用新型具有光电转化率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 电池 | ||
【主权项】:
一种五栅多晶电池片,包括基板,所述的基板上设有若干相互平行的主栅线和若干相互平行的副栅线,主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通,其特征在于,所述的主栅线上连接有焊带,每两根副栅线之间设有防断栅,主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接,且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度;所述的基板包括本体,本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区,P型多晶硅片处于N型多晶硅片的上侧,P型多晶硅片两侧设有上电极,P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜,所述的N型多晶硅片两侧设有下电极,N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜,所述的本体表面设有导电膜,所述导电膜外侧设有保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的