[实用新型]一种晶圆片级芯片规模封装结构

摘要

本实用新型提供一种晶圆片级芯片规模封装结构，其中，封装结构至少包括芯片；覆盖于所述芯片上表面的重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球，且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接；包围于所述芯片下表面和侧壁以及所述重新布线层侧壁的第一塑封层；以及形成于所述重新布线层上表面的围住每个焊料球的第二塑封层，且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接，从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。本实用新型通过两个塑封层无缝连接形成包围芯片六个表面的封装保护，有效补偿应力造成的封装结构的翘曲变形，能够制备较大尺寸的封装结构，满足大尺寸芯片的封装需求。

主权项

一种晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，所述晶圆片级芯片规模封装结构至少包括：芯片；覆盖于所述芯片上表面的重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球，且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接；包围于所述芯片下表面和侧壁以及所述重新布线层侧壁的第一塑封层；以及形成于所述重新布线层上表面的围住每个焊料球的第二塑封层，且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接，从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构；其中，所述重新布线层至少包括：形成于所述芯片上表面的多个焊盘；覆盖于所述芯片上表面以及所述焊盘上表面和侧壁的介电层；形成于所述介电层内的能够与所述焊盘实现电性连接的金属布线层，其中，所述金属布线层为单层金属层或多层金属层；形成于所述介电层上表面的能够与所述金属布线层实现电性连接的多个下金属化层，最终得到所述重新布线层；其中，所述焊料球形成于所述下金属化层上，且所述焊料球通过所述下金属化层实现与所述金属布线层的电性连接。