[实用新型]一种钝化接触全背电极太阳电池结构有效
申请号: | 201720229879.6 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN206595264U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明;李中兰 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种钝化接触全背电极太阳电池结构,其结构包括硅片衬底,在硅片衬底正面设置金字塔绒面,硅片衬底背面形成抛光面,在硅片衬底背面设置遂穿氧化层,在遂穿氧化层上交替排列N型多晶硅层和P型多晶硅层,N型多晶硅层和P型多晶硅层中间通过本征多晶硅层隔离开来,N型多晶硅层和P型多晶硅层上分别设置对应的N区金属接触电极和P区金属接触电极。作为另一种改进的结构,可以设置背面钝化膜,并在其上开接触孔设置N区金属接触电极和P区金属接触电极。本实用新型技术方案将钝化接触手段应用到全背电极电池,可以极大地降低表面复合速率,特别是金属接触区复合速率,提升开路电压,从而提升电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 钝化 接触 电极 太阳电池 结构 | ||
【主权项】:
一种钝化接触全背电极太阳电池结构,其特征在于:包括硅片衬底,在硅片衬底正面设置金字塔绒面,硅片衬底背面形成抛光面,在硅片衬底背面设置遂穿氧化层,在遂穿氧化层上交替排列N型多晶硅层和P型多晶硅层,N型多晶硅层和P型多晶硅层中间通过本征多晶硅层隔离开来,N型多晶硅层和P型多晶硅层上分别设置对应的N区金属接触电极和P区金属接触电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720229879.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有伺服电机的防撞抗压升降路障
- 下一篇:一种带有蜂窝纸板的包装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的