[实用新型]一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构有效

专利信息
申请号: 201720232112.9 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN206506000U 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 靳蒙蒙;胡华清;孙志敏 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203;H01Q1/52
代理公司: 北京市中闻律师事务所11388 代理人: 蒋玉
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L‑bridge结构单元、增强型AI‑EBG结构单元、新型嵌入式EBG结构单元,EBG金属电源层的顶部刻蚀有矩形细槽,金属接地板位于介质层的底部,且为底部的表面层上,EBG金属电源层位于介质层的顶部,且为顶部的表面层上,传统Meader L‑bridge结构单元中内嵌设置有增强型AI‑EBG结构结构单元,新型嵌入式EBG结构单元仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。本实用新型通过在传统的Meader L‑bridg结构的中心刻蚀四个完全相同且中心对称的矩形细槽,实现了超带宽抑制SSN的设计,具有超带宽抑制能力,且能抑制同步开关噪声,通过内嵌的思想,构建新型EBG结构,增加了抑制带宽,优化了Meader L‑bridgeEBG结构的抑制能力。
搜索关键词: 一种 ssn 具有 带宽 抑制 能力 新型 ebg 结构
【主权项】:
一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L‑bridge结构单元(1)、增强型AI‑EBG结构单元(2)、新型嵌入式EBG结构单元(3),其特征在于,EBG金属电源层(4)的顶部刻蚀有矩形细槽(5),金属接地板(6)位于介质层(7)的底部,且为底部的表面层上,所述EBG金属电源层(4)位于介质层(7)的顶部,且为顶部的表面层上,所述传统Meader L‑bridge结构单元(1)中内嵌设置有增强型AI‑EBG结构结构单元(2),所述新型嵌入式EBG结构单元(3)仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。
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