[实用新型]一种间接X射线传感器、直接X射线传感器和光学传感器有效

专利信息
申请号: 201720242221.9 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN207587734U 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 马德休卡.B.沃拉;布赖恩.罗德里克斯 申请(专利权)人: 泰拉派德系统股份有限公司;马德休卡.B.沃拉;布赖恩.罗德里克斯
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了间接X射线传感器、直接X射线传感器和光学传感器的各种实施例。在一个方面,间接X射线传感器包括硅晶片,其包括其上的光电二极管阵列,其中每个光电二极管在硅晶片的前侧上具有接触,并且与硅晶片背侧上的栅格孔的阵列的相应栅格孔自对准。每个栅格孔填充有被配置为将X射线射束转换为光的闪烁体。间接X射线传感器还包括具有光电感测电路的阵列的一个或多个硅裸芯,每个光电感测电路包括在一个或多个硅裸芯的顶表面处的接触。每个光电二极管上的接触被对准并键合到一个或多个硅裸芯的光电感测电路阵列的相应光电感测电路的接触。
搜索关键词: 感测电路 硅晶片 栅格孔 裸芯 光电二极管 光学传感器 光电二极管阵列 顶表面 闪烁体 自对准 键合 填充 对准 转换 配置
【主权项】:
1.一种间接X射线传感器,包括:硅晶片,具有前侧和与前侧相对的背侧,所述硅晶片在其上具有光电二极管阵列,其特征在于每个光电二极管在硅晶片的前侧上具有接触,并且与位于所述硅晶片的背侧上的栅格孔阵列的相应的栅格孔自对准,所述栅格孔的每一个填充有闪烁体,所述闪烁体被配置为将X射线射束转换为光;和具有光电感测电路阵列的一个或多个硅裸芯,每个光电感测电路在所述一个或多个硅裸芯的顶表面处具有接触,其中每个所述光电二极管上的接触被对准并键合到所述一个或多个硅裸芯的光电感测电路阵列的相应光电感测电路的接触。
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