[实用新型]一种间接X射线传感器、直接X射线传感器和光学传感器有效
申请号: | 201720242221.9 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN207587734U | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 马德休卡.B.沃拉;布赖恩.罗德里克斯 | 申请(专利权)人: | 泰拉派德系统股份有限公司;马德休卡.B.沃拉;布赖恩.罗德里克斯 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了间接X射线传感器、直接X射线传感器和光学传感器的各种实施例。在一个方面,间接X射线传感器包括硅晶片,其包括其上的光电二极管阵列,其中每个光电二极管在硅晶片的前侧上具有接触,并且与硅晶片背侧上的栅格孔的阵列的相应栅格孔自对准。每个栅格孔填充有被配置为将X射线射束转换为光的闪烁体。间接X射线传感器还包括具有光电感测电路的阵列的一个或多个硅裸芯,每个光电感测电路包括在一个或多个硅裸芯的顶表面处的接触。每个光电二极管上的接触被对准并键合到一个或多个硅裸芯的光电感测电路阵列的相应光电感测电路的接触。 | ||
搜索关键词: | 感测电路 硅晶片 栅格孔 裸芯 光电二极管 光学传感器 光电二极管阵列 顶表面 闪烁体 自对准 键合 填充 对准 转换 配置 | ||
【主权项】:
1.一种间接X射线传感器,包括:硅晶片,具有前侧和与前侧相对的背侧,所述硅晶片在其上具有光电二极管阵列,其特征在于每个光电二极管在硅晶片的前侧上具有接触,并且与位于所述硅晶片的背侧上的栅格孔阵列的相应的栅格孔自对准,所述栅格孔的每一个填充有闪烁体,所述闪烁体被配置为将X射线射束转换为光;和具有光电感测电路阵列的一个或多个硅裸芯,每个光电感测电路在所述一个或多个硅裸芯的顶表面处具有接触,其中每个所述光电二极管上的接触被对准并键合到所述一个或多个硅裸芯的光电感测电路阵列的相应光电感测电路的接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰拉派德系统股份有限公司;马德休卡.B.沃拉;布赖恩.罗德里克斯,未经泰拉派德系统股份有限公司;马德休卡.B.沃拉;布赖恩.罗德里克斯许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720242221.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:存储器、半导体器件
- 下一篇:图像传感器和成像系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的