[实用新型]一种基于碳化硅MOSFET的PWM整流电路有效
申请号: | 201720251521.3 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN206650595U | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 李志君;黄波;李志雨;田远;董兆雯;蔡阿利;颜繁龙;李波;高鑫;许洪东 | 申请(专利权)人: | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02J7/02 |
代理公司: | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)35212 | 代理人: | 宋连梅 |
地址: | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种基于碳化硅MOSFET的PWM整流电路,包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、电容Cf1、电感La、电感Lb以及电感Lc,电感La、电感Lb以及电感Lc的一端部连至电源,电感La的另一端连接至MOS管Q1的源极以及MOS管Q4的漏极,电感Lb的另一端连接至MOS管Q2的源极以及MOS管Q5的漏极;电感Lc的另一端连接至MOS管Q3的源极以及MOS管Q6的漏极,MOS管Q1的漏极、MOS管Q2的漏极以及MOS管Q3的漏极连接至电容Cf1的一端部,MOS管Q4的源极、MOS管Q5的源极以及MOS管Q6的源极连接至电容Cf1的另一端部,降低对交流侧滤波电感的依赖。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 碳化硅 mosfet pwm 整流 电路 | ||
【主权项】:
一种基于碳化硅MOSFET的PWM整流电路,其特征在于:包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、电容Cf1、电感La、电感Lb以及电感Lc,所述电感La、电感Lb以及电感Lc的一端部连接至电源,所述电感La的另一端连接至所述MOS管Q1的源极以及MOS管Q4的漏极,所述电感Lb的另一端连接至所述MOS管Q2的源极以及MOS管Q5的漏极;所述电感Lc的另一端连接至所述MOS管Q3的源极以及MOS管Q6的漏极,所述MOS管Q1的漏极、MOS管Q2的漏极以及MOS管Q3的漏极连接至所述电容Cf1的一端部,所述MOS管Q4的源极、MOS管Q5的源极以及MOS管Q6的源极连接至所述电容Cf1的另一端部;所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5以及MOS管Q6为碳化硅MOSFET。
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