[实用新型]一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构有效
| 申请号： | 201720266986.6 | 申请日： | 2017-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN206602113U8 | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 冯巍;杜全钢;谢小刚;李维刚;姜炜;郭永平;蒋健 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/201;H01L23/60;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市苏州高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长LT-GaAs缓冲层(2)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(3)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(4)、NT-AlGaAs缓冲层(5)。该材料结构在适当的低温生长条件下具有半绝缘的特性，可以增强集成电路芯片的电学隔离性能，提高静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半绝缘 缓冲层 分子束外延 缓冲层材料 多量子阱 电学隔离性能 集成电路芯片 静电防护能力 本实用新型 材料结构 低温生长 衬底 生长 | ||
【主权项】：
一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长LT‑GaAs缓冲层(2)、LT‑GaAs/LT‑AlGaAs多量子阱缓冲层(3)、LT‑GaAs/LT‑AlGaAs多量子阱缓冲层(4)、NT‑AlGaAs缓冲层(5)。
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