[实用新型]一种金刚石薄膜的射频等离子化学气相沉积装置有效
申请号: | 201720267999.5 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN206512273U | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 皮超杰;徐国龙;夏震 | 申请(专利权)人: | 郑州嘉晨化工科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/507 | 分类号: | C23C16/507 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 451191 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种金刚石薄膜的射频等离子化学气相沉积装置,包括CVD反应室,所述CVD反应室的内壁上设置有磁感应线圈,所述CVD反应室的底部设置有反应台,所述反应台的顶部设置有升降台,所述升降台的顶部设置有基体。本实用新型通过设置在CVD反应室上的真空泵和压力表,可对CVD反应室内的压力进行控制,使CVD反应室的压力保持在0.13Pa左右,在负偏压作用下沉积到基体上形成金刚石薄膜,在低压下生成的金刚石薄膜,厚度均匀、生产效率高、沉积速率高、稳定性好、可调性和重复性好,保证金刚石薄膜的质量,通过设置的均速喷气喷头,可将射频等离子发生器内的等离子均速喷在基体上,有效提高基体上形成的金刚石薄膜厚度均匀性和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 薄膜 射频 等离子 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种金刚石薄膜的射频等离子化学气相沉积装置,包括CVD反应室(1)和反应气体混合器(4),其特征在于:所述CVD反应室(1)的内壁上设置有磁感应线圈(2),所述CVD反应室(1)的底部设置有反应台(3),所述反应台(3)的顶部设置有升降台(14),所述升降台(14)的顶部设置有基体(13),所述基体(13)和升降台(14)之间设置有衬底(12),所述反应气体混合器(4)通过管道连接有甲烷气体罐(6)和氢气罐(7),所述甲烷气体罐(6)和氢气罐(7)与反应气体混合器(4)之间均设置有流量计,所述反应气体混合器(4)的出口通过管道连接有射频等离子发生器(8),所述射频等离子发生器(8)通过波导(9)与CVD反应室(1)连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的