[实用新型]一种实现短波长紫外LED的外延结构有效
| 申请号： | 201720278084.4 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN206742273U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 何苗;黄波;熊德平;杨思攀;王润 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层，所述衬底为蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530‑550℃，并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030‑1080℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm，生长温度为1030‑1080℃。本实用新型采用渐变P型AlGaN层，能减少极化效应，削弱电子阻挡层EBL到P型层之间的能带弯曲，使得红移现象得到改善，呈现更短的发光波长，发光强度也随之增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 波长 紫外 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层。
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