[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构有效

专利信息
申请号: 201720282135.0 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN206564245U 公开(公告)日: 2017-10-17
发明(设计)人: 吴政达;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 姚艳
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构,其中,封装结构至少包括:重新布线层;键合于所述重新布线层上表面的至少一个具有凸块保护结构的倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块;形成于所述重新布线层上表面的填充满所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述具有凸块保护结构的倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层;以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。本实用新型中的塑封层为倒装芯片和重新布线层之间提供了无缝隙粘合以及良好的接合结构,避免了界面分层的风险,提高了封装结构的可靠性;同时采用具有凸块保护结构的倒装芯片,有效保护和固定互联凸块,防止互联凸块失效。
搜索关键词: 一种 扇出型晶圆级 封装 结构
【主权项】:
一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述扇出型晶圆级封装结构至少包括:重新布线层;键合于所述重新布线层上表面的至少一个具有凸块保护结构的倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块,所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述第一凸块均与所述重新布线层实现电性连接,且所述第一凸块的顶部高于所述具有凸块保护结构的倒装芯片的顶部;形成于所述重新布线层上表面的填充满所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述具有凸块保护结构的倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层;以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。
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