[实用新型]一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管有效
| 申请号： | 201720288143.6 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN206602115U | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1‑XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1‑XSb帽层，还包括形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层上的源极和第二梯度InXGa1‑XSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层和第二梯度InXGa1‑XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，其特征在于，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1‑XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1‑XSb帽层，还包括形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层上的源极和位于第二梯度InXGa1‑XSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层和第二梯度InXGa1‑XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气。
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