[实用新型]一种双极线性稳压器全芯片ESD保护结构有效
| 申请号： | 201720290748.9 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN206610809U | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 季轻舟;赵明;李飞强;刘鹏;向宏莉 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双极线性稳压器全芯片ESD保护结构，包括连接在芯片各端口的SCR静电结构单元；所述的SCR静电结构单元包括衬底PNP结构的晶体三极管Q1，以及构成SCR电路的晶体三极管Q2、晶体三极管Q3、电阻Rj和电阻Rb；晶体三极管Q1发射极接IO端口，集电极自然接地，基极为SCR静电结构单元的输入输出端口B；晶体三极管Q2发射极与电阻Rj一端均连接SCR静电结构输入输出端口B，基极接电阻Rj另一端和晶体三极管Q3的集电极，晶体三极管Q2集电极接晶体三极管Q3的基极和电阻Rb电阻的一端；晶体三极管Q3发射极与电阻Rb另一端接SCR静电结构单元的IO端口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 稳压器 芯片 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种双极线性稳压器全芯片ESD保护结构，其特征在于，包括连接在芯片各端口的SCR静电结构单元；所述的SCR静电结构单元包括衬底PNP结构的晶体三极管Q1，以及构成SCR电路的晶体三极管Q2、晶体三极管Q3、电阻Rj和电阻Rb；晶体三极管Q1发射极接IO端口，集电极自然接地，基极为SCR静电结构单元的输入输出端口B；晶体三极管Q2发射极与电阻Rj一端均连接SCR静电结构输入输出端口B，基极接电阻Rj另一端和晶体三极管Q3的集电极，晶体三极管Q2集电极接晶体三极管Q3的基极和电阻Rb电阻的一端；晶体三极管Q3发射极与电阻Rb另一端接SCR静电结构单元的IO端口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
