[实用新型]利用氟离子注入实现的氮化镓PN结有效
| 申请号： | 201720295253.5 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN206639803U | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 赵琳娜;闫大为;顾晓峰;陈雷雷 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 离子 注入 实现 氮化 pn | ||
【主权项】：
一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结，其特征在于，包括衬底；n型GaN半导体层，所述n型掺杂GaN半导体层形成于所述衬底之上，并在所述n型掺杂GaN半导体层上设置有第一电极；p型GaN半导体层，所述p型掺杂GaN半导体层嵌于所述n型掺杂GaN半导体层中部区域，通过氟离子注入实现，并在所述p型掺杂GaN半导体层上设置有第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720295253.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种系统级封装芯片
- 下一篇：打孔PERC双面太阳能电池及其组件、系统
- 同类专利
- 专利分类
