[实用新型]一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构

摘要

本实用新型涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本实用新型可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。

主权项

一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构，其特征在于：在EMCCD芯片(1)的背面设有电极引出区(2)、光敏区(3)、存储增益区(4)、离子注入区(5)、增透膜(6)和金属屏蔽层(7)，电极引出区(2)、光敏区(3)、存储增益区(4)相邻形成于EMCCD芯片(1)的背面硅体内部，通过低能离子注入在光敏区(3)和存储增益区(4)内部形成离子注入区(5)，在光敏区(3)表面敷有增透膜(6)，存储增益区(4)表面设有增透膜(6)和金属屏蔽层(7)。