[实用新型]大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管

摘要

本实用新型提供一种大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，包括N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区；P型基区上方连接有基区一级金属层；P型基区的正面形成有N+型发射区和N+型增阻环，N+型发射区的上方连接有发射区一级金属层；上方衬底的顶部覆盖有绝缘介质层、表面保护阻挡层、钝化层；基区二级金属层并通过钝化层的开口与基区一级金属层相连，用于形成晶体管的基极；发射区二级金属层通过钝化层的开口与发射区一级金属层相连，用于形成晶体管的发射极；本实用新型具有可靠性高，漏电小，电流大，高频，低饱和压降、开关时间速度快等特点。

主权项

一种大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，包括N型衬底，其特征在于，还包括：形成于N型衬底背面的背面金属层(12)，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区（9）；P型基区（9）的上方连接有基区一级金属层（4）；P型基区（9）的正面形成有N+型发射区（8），N型衬底正面形成N+型增阻环（13），N+型增阻环（13）与P型基区（9）保持间隔并围绕P型基区（9）设置，N+型发射区（8）的上方连接有发射区一级金属层（3）；发射区一级金属层（3）和基区一级金属层（4）相互隔离；衬底的顶部覆盖有绝缘介质层(7)，绝缘介质层（7）上方形成有表面保护阻挡层（6），表面保护阻挡层（6）上方形成有钝化层（5）；基区二级金属层（2）设置在钝化层（5）上，并通过钝化层（5）的开口与基区一级金属层（4）相连，用于形成晶体管的基极；发射区二级金属层（1）设置在钝化层（5）上，并通过钝化层（5）的开口与发射区一级金属层（3）相连，用于形成晶体管的发射极；基区二级金属层（2）和发射区二级金属层（1）相互隔离。