[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201720310073.X | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN206685363U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | G·斯希拉 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/544 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体器件,该半导体器件包括具有第一部分和第二部分的衬底。耦合至该衬底的该第一部分的是能够提供第一应力信号的至少一个第一变形应力传感器,而耦合至该衬底的该第二部分的是能够提供第二应力信号的至少一个第二变形应力传感器。提供了一种处理电路,该处理电路耦合至该第一变形应力传感器和该第二变形应力传感器,并且被配置成用于处理该第一应力信号和该第二应力信号,以便根据该第一应力信号和该第二应力信号产生补偿信号,并且将该补偿信号施加到该半导体电路生成的信号,以便对该生成的信号的由该半导体器件的该衬底中的应力引起的变化进行补偿。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括具有第一部分和第二部分的衬底,所述半导体器件包括:‑至少一个第一变形应力传感器,所述至少一个第一变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底的所述第一部分耦合,所述至少一个第一应力传感器提供第一应力信号,‑至少一个第二变形应力传感器,所述至少一个第二变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底的所述第二部分耦合,所述至少一个第二应力传感器提供第二应力信号,‑处理电路,所述处理电路与所述至少一个第一变形应力传感器和所述至少一个第二变形应力传感器耦合,并且被配置成用于:‑处理所述第一应力信号和所述第二应力信号,并且根据所述第一应力信号和所述第二应力信号产生至少一个补偿信号,‑将所述至少一个补偿信号施加到所述半导体电路生成的信号,以便对所述生成的信号的由所述半导体器件的所述衬底中的应力引起的变化进行补偿。
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