[实用新型]一种氮化镓薄膜和石墨烯薄膜有效
| 申请号： | 201720310168.1 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN207116374U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘志斌 | 申请（专利权）人： | 刘志斌 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种氮化镓薄膜和石墨烯薄膜，该氮化镓薄膜包括半导体衬底，半导体衬底上形成有氮化镓缓冲层；氮化镓缓冲层上依次形成有具有第一孔隙结构的石墨烯催化层和具有第二孔隙结构的石墨烯掩膜层，第一孔隙结构和第二孔隙结构相同；石墨烯掩膜层的表面上以及石墨烯掩膜层的孔隙中裸露的氮化镓缓冲层的表面上外延生长有氮化镓层。本实用新型实施例中，以具有孔隙结构的石墨烯掩膜层作为掩膜外延生长氮化镓层，可有效减少在半导体衬底上生长氮化镓薄膜的位错密度，有效降低氮化镓外延层与石墨烯掩膜层接触部分的低角度晶界缺陷，使所形成的氮化镓薄膜能够均匀分布且具有很好的晶相结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 石墨 | ||
【主权项】：
一种氮化镓薄膜，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有氮化镓缓冲层；所述氮化镓缓冲层上依次形成有具有第一孔隙结构的石墨烯催化层和具有第二孔隙结构的石墨烯掩膜层，所述第一孔隙结构和所述第二孔隙结构相同；所述石墨烯掩膜层的表面上以及所述石墨烯掩膜层的孔隙中裸露的所述氮化镓缓冲层的表面上外延生长有氮化镓层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
