[实用新型]台面型半导体器件有效
| 申请号： | 201720315111.0 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN206558508U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 庄建军;王岳云 | 申请（专利权）人： | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所32225 | 代理人： | 孙彬,郑明星 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种台面型半导体器件，包括N+型半导体衬底；N型半导体层，接合于所述N+型半导体衬底的表面；P+型半导体层，接合于所述N型半导体层的表面，与所述N型半导体层共同形成PN接合部；第一沟槽，从所述P+型半导体层的表面到达所述N型半导体层中；钝化层，填充于所述第一沟槽内；第二沟槽，位于相邻的两个第一沟槽之间；钝化薄膜，设在第二沟槽的表面；金属层，形成在所述P+型半导体层和N+型半导体衬底的表面。本实用新型可以很好的阻隔开外界杂质，抑制破裂、微裂纹的产生，从而可以获得更佳的钝化性能，实现高性能、高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种台面型半导体器件，包括N+型半导体衬底；N型半导体层，接合于所述N+型半导体衬底的表面；P+型半导体层，接合于所述N型半导体层的表面，与所述N型半导体层共同形成PN接合部；第一沟槽，从所述P+型半导体层的表面到达所述N型半导体层中；钝化层，填充于所述第一沟槽内；第二沟槽，位于相邻的两个第一沟槽之间；钝化薄膜，设在所述第二沟槽的表面；金属层，形成在所述P+型半导体层和N+型半导体衬底的表面。
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