[实用新型]设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片

摘要

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体地说，涉及一种设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片。其包括稳压支路、第一级运放电路和第二级运放电路，稳压支路包括第一电阻和齐纳二极管，第一级运放电路包括第一NMOS管、第二电阻、第二NMOS管和第三电阻，第二级运放电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；本实用新型能够较佳地在宽输入电压的情形下进行工作。

主权项

设有反接保护电路的宽输入电压范围电压调整芯片，其特征在于：包括稳压支路、第一级运放电路和第二级运放电路，稳压支路包括第一电阻(R1)和齐纳二极管(D1)，第一级运放电路包括第一PMOS管(Tp1)、第二PMOS管(Tp2)、第一NMOS管(Tn1)、第二NMOS管(Tn2)和第二电阻(R2)，第二级运放电路包括第三PMOS管(Tp4)和第三电阻(R3)；第一电阻(R1)和齐纳二极管(D1)依次连接于芯片供电端(VDD)与公共接地端(VSS)之间且齐纳二极管(D1)反向设置，第一电阻(R1)与齐纳二极管(D1)间形成参考电压端(Vref)；参考电压端(Vref)接入第一NMOS管(Tn1)栅极，第一NMOS管(Tn1)和第二NMOS管(Tn2)的源极均通过第二电阻(R2)接入公共接地端(VSS)，第三电阻(R3)设于第二NMOS管(Tn2)的栅极与公共接地端(VSS)之间；芯片供电端(VDD)通过一反接保护电路后形成公共电源端(Vcom)，第一PMOS管(Tp1)的源极接入公共电源端(Vcom)、漏极接入第一NMOS管(Tn1)的漏极，第二PMOS管(Tp2)的源极接入公共电源端(Vcom)、漏极接入第二NMOS管(Tn2)的漏极，第一PMOS管(Tp1)和第二PMOS管(Tp2)栅极均接入第二PMOS管(Tp2)的漏极；第三PMOS管(Tp4)的源极接入公共电源端(Vcom)，第三PMOS管(Tp4)的栅极接入第一PMOS管(Tp1)的的漏极，第三PMOS管(Tp4)的漏极输出为调整电压端(Vreg)，调整电压端(Vreg)接入第二NMOS管(Tn2)的栅极。