[实用新型]一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备有效

专利信息
申请号: 201720326153.4 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN206843580U 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 龚闯;吴剑波;朱长征;余斌 申请(专利权)人: 上海征世科技有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/511
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司31253 代理人: 冯子玲
地址: 201799 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备,属于金刚石制备技术领域。其包括反应腔,所述反应腔的外部四周上设置有磁场线圈,反应腔的两端分别与加热装置和微波源连接,加热装置与基片连接,所述反应腔的侧壁上以及与微波源连接的一端均设置有气体管,所述气体管与分气板连接,气体管上设置有预热器,磁场线圈与反应腔之间设置有冷却系统,反应腔与真空系统连通。本实用新型的一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备,它将基片移至回旋磁场之外,从而使金刚石膜的沉积面积进一步提高,同时得到的金刚石薄膜纯度更高,更加均匀。
搜索关键词: 一种 双面 大面积 bdd 电极 制备 cvd 设备
【主权项】:
一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备,其特征在于:包括反应腔(1),所述反应腔(1)的外部四周上设置有磁场线圈(2),反应腔(1)的两端分别与加热装置(3)和微波源(4)连接,加热装置(3)与基片(5)连接,所述反应腔(1)的侧壁上以及与微波源(4)连接的一端均设置有气体管(6),所述气体管(6)与分气板(7)连接,气体管(6)上设置有预热器(8),磁场线圈(2)与反应腔(1)之间设置有冷却系统(9),反应腔(1)与真空系统(10)连通。
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