[实用新型]一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备有效
申请号: | 201720326153.4 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN206843580U | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 龚闯;吴剑波;朱长征;余斌 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备,属于金刚石制备技术领域。其包括反应腔,所述反应腔的外部四周上设置有磁场线圈,反应腔的两端分别与加热装置和微波源连接,加热装置与基片连接,所述反应腔的侧壁上以及与微波源连接的一端均设置有气体管,所述气体管与分气板连接,气体管上设置有预热器,磁场线圈与反应腔之间设置有冷却系统,反应腔与真空系统连通。本实用新型的一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备,它将基片移至回旋磁场之外,从而使金刚石膜的沉积面积进一步提高,同时得到的金刚石薄膜纯度更高,更加均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 大面积 bdd 电极 制备 cvd 设备 | ||
【主权项】:
一种双面大面积BDD电极制备CVD的设备,其特征在于:包括反应腔(1),所述反应腔(1)的外部四周上设置有磁场线圈(2),反应腔(1)的两端分别与加热装置(3)和微波源(4)连接,加热装置(3)与基片(5)连接,所述反应腔(1)的侧壁上以及与微波源(4)连接的一端均设置有气体管(6),所述气体管(6)与分气板(7)连接,气体管(6)上设置有预热器(8),磁场线圈(2)与反应腔(1)之间设置有冷却系统(9),反应腔(1)与真空系统(10)连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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