[实用新型]一种新型mHEMT器件

摘要

本实用新型涉及一种新型mHEMT器件，GaAs CC‑mHEMT器件外延结构由在GaAs衬底上依次外延生长的多量子阱、Buffer晶格量子阱应变缓冲层、复合沟道层、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层和高掺杂渐进盖帽层构成，通过上述方式，本实用新型这种结构结合GaAs mHEMT具有的超高电子迁移率，创新性的引入多层复合沟道结构结构，是用InP替代部分沟道，共同构成mHEMT的导通沟道，引入了的多层MQW应变缓冲层结构有效的解决了GaAs基衬底和InP异质结构体系之间的晶格失配问题，可用廉价和较大尺寸的GaAs材料体系实现InP材料体系的超高迁移率，此生长方式值得推广应用。

主权项

一种新型mHEMT器件，其特征在于，所述器件外延结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和帽层；所述缓冲层为多层应变缓冲层结构，主要包括15层周期重复变化的AlGaAs/GaAs结构；所述复合沟道层从上至下包括不掺杂InGaAs沟道1、不掺杂InP沟道2和高掺杂InP沟道3，沟道1和沟道2两种结构减小了碰撞电离，有效的提高了够到中的击穿电场强度，沟道3用于低场下为二维电子气提供导电沟道；所述帽层为高掺杂渐进帽层，用于为器件制备提供良好的欧姆接触，帽层两侧开设有沟槽，沟槽深度从帽层表面深入到复合沟道层，沟槽内设置隔离区；帽层上表面设置源极和漏极，栅极设置在所述源极和漏极中间，所述栅极金属为T型栅，下方深入到帽层内。