[实用新型]嵌套式Q值改善电路有效
| 申请号： | 201720336962.3 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN206807404U | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李纪鹏;徐志伟;刘东栋 | 申请（专利权）人： | 浙江集速合芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 316000 浙江省舟*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种嵌套式Q值改善电路，包括负跨导单元和正跨导单元，所述负跨导单元和正跨导单元相互并联且连接在需要提高Q值的电路上；所述负跨导单元为交叉耦合差分对；所述正跨导单元为一个的微小的正阻抗电路，来抵消负阻抗电路带来的奇数阶IM产物。本实用新型的芯片面积及功率消耗量相比现有的Q值改善电路近乎忽略不计，但可以提高Q值，改善电路性能，且在PVT变化时得到更佳的稳定效果。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌套 改善 电路 | ||
【主权项】：
一种嵌套式Q值改善电路，其特征在于，包括负跨导单元和正跨导单元，所述负跨导单元和正跨导单元相互并联且连接在需要提高Q值的电路上；所述负跨导单元为交叉耦合差分对；所述正跨导单元包括第三晶体管M3、第四晶体管M4、第三电阻R3、第四电阻R4和第二电流源，第三晶体管M3的漏极和第四晶体管M4的漏极连接需要提高Q值的电路，第三晶体管M3的栅极接第三晶体管M3的漏极，第四晶体管M4的栅极连接第四晶体管M4的漏极，第三晶体管M3的源级与第四晶体管M4的源级分别通过第三电阻R3和第四电阻R4连接第二电流源I2。
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