[实用新型]一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构有效
| 申请号： | 201720346724.0 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN207068891U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 高超;周浪;黄海宾;岳之浩 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，在晶体硅表面之上为一层钝化TiOx层，钝化TiOx层之上为一层n‑TiOx层，形成晶体硅‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。该结构使用双层TiOx与晶体硅形成异质结。其中，内层的钝化TiOx可对硅片表面形成良好钝化，而外层的n‑TiOx层为掺杂浓度较高的TiOx，可使异质结内部形成较强的内建电场。本实用新型的晶体硅太阳电池可同时实现较高的开路电压和短路电流。可使硅太阳电池具有较高的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 晶体 太阳电池 si tiox 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，其特征是在晶体硅表面之上为一层钝化TiOx层，钝化TiOx层之上为一层n‑TiOx层，形成晶体硅‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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