[实用新型]一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构有效
申请号: | 201720346741.4 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN207250529U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 高超;周浪;黄海宾;岳之浩 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构,在背面接触太阳电池正面硅材料表面形成一层钝化TiOx层,在钝化TiOx层之上再形成一层n型掺杂且掺杂浓度较高的n‑TiOx层;形成背面接触太阳电池正面硅表面‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。该结构包含一层可对硅片形成良好钝化的钝化TiOx层以及一层n型掺杂的TiOx层。使用这种结构可同时起到钝化硅片正表面、形成表面电场、增强空穴传输以及减反射层等作用,而且该结构可在低温下制备。本实用新型所提出的结构将会简化背面接触太阳电池的结构及制备工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 背面 接触 太阳电池 双层 tiox 结构 | ||
【主权项】:
一种应用于背面接触太阳电池的双层TiOx结构,其特征是在背面接触太阳电池正面硅材料表面形成一层钝化TiOx层,x≈2,在钝化TiOx层之上再形成一层n‑TiOx层;形成背面接触太阳电池正面硅表面‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的