[实用新型]一种显示用电子器件高导电联耦合电极有效
| 申请号： | 201720367604.9 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN206697449U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 彭俊彪;卢宽宽;宁洪龙;姚日晖;胡诗犇;魏靖林;邹建华;陶洪;徐苗;王磊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极。所述电极由依次层叠的衬底、粘附阻挡层和导电层构成，所述粘附阻挡层为厚度为5～200nm的铜合金薄膜层，所述导电层为厚度为5～1000nm的纯铜薄膜层。本实用新型制备的高导电联耦合电极在衬底和纯铜薄膜导电层之间设置铜合金粘附阻挡层，起到了增强结合强度和阻挡铜原子扩散的双重作用。所得高导电联耦合电极具有与基板结合强度高、电阻率低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显示 用电 器件 导电 耦合 电极 | ||
【主权项】：
一种显示用电子器件高导电联耦合电极，其特征在于：所述电极由依次层叠的衬底、粘附阻挡层和导电层构成，所述粘附阻挡层为厚度为5～200nm的铜合金薄膜层，所述导电层为厚度为5～1000nm的纯铜薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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