[实用新型]动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器及电子设备有效

专利信息
申请号: 201720385407.X 申请日: 2017-04-13
公开(公告)号: CN206627849U 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 宋登明;聂海 申请(专利权)人: 成都信息工程大学;成都市海芯微纳电子科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京华智则铭知识产权代理有限公司11573 代理人: 陈向敏
地址: 610225 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器,包括带隙基准电源、误差放大器、缓冲器以及功率调整管,所述动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器还包括动态密勒补偿电路;所述动态密勒补偿电路包括电阻、电容以及PMOS管;所述电容、电阻以及PMOS管串联后分别接在所述误差放大器的输出端和所述缓冲器的输出端;所述PMOS管的栅极与功率调整管连接;本实用新型还提供了一种电子设备。本实用新型功耗低,效率高,由于动态密勒补偿电路采用PMOS作线性电阻连接的设计,使得电路具有非常恒定的带宽,大大提高了系统瞬态响应的能力,并且提高了稳压器环路的稳定性。
搜索关键词: 动态 补偿 cmos 低压 线性 稳压器 电子设备
【主权项】:
一种动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器,包括:带隙基准电源、误差放大器、缓冲器以及功率调整管,所述带隙基准电源与所述误差放大器的输入端连接,所述误差放大器的输出端与所述缓冲器输入端连接,所述缓冲器的输出端与所述功率调整管连接;其特征在于,所述动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器还包括:动态密勒补偿电路;所述动态密勒补偿电路包括电阻、电容以及PMOS管;所述电容、电阻以及PMOS管串联,一端为所述电容,另一端为所述PMOS管;所述电容与所述误差放大器的输出端连接;所述PMOS管的栅极与所述功率调整管连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都信息工程大学;成都市海芯微纳电子科技有限公司,未经成都信息工程大学;成都市海芯微纳电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720385407.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top