[实用新型]具有纳米结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201720402922.4 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN206672958U | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 曹玉飞;柯荣庆;梁玄彦;梅震;邱智中;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，涉及具有纳米结构的发光二极管，其通过在电极与外延层的接触面增设纳米结构，并且纳米结构包括连接电极和外延层的高反射率纳米线，从而增强电极与外延层的粘附性和电流扩展性，减少电极的吸光。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
具有纳米结构的发光二极管，至少包括从下至上的衬底、N型层、发光层、P型层、以及位于所述P型层表面的P电极和位于N型层表面的N电极，其特征在于：所述P电极与P型层接触位置具有第一纳米结构，所述第一纳米结构包括位于所述P型层上由第一纳米柱分隔成的第一纳米凹槽、位于所述P电极下表面由第二纳米柱分隔成的第二纳米凹槽，以及连接所述P电极和P型层的第一高反射率纳米线，所述第一高反射率纳米线上端和下端分别插入第一纳米凹槽和第二纳米凹槽内。
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